近年来，电动汽车、电力机车以及半导体照明、航空航天、卫星通信等进入高速发展阶段，其电子器件工作电流大、温度高、频率高，为满足器件及电路工作的稳定性，对芯片载体提出了更高的要求，陶瓷基板具有优异的热性能、微波性能、力学性能以及可靠性高等优点，可广泛应用于这些领域。
目前应用于陶瓷基板的陶瓷材料主要有：氧化铍（BeO）、氧化铝（Al2O3）、氮化铝（AlN）、氮化硅（Si3N4）和碳化硅（SiC）等。
一、氮化铝（AlN）-晶体
AIN是一种二元材料，是共价键化合物，属于六方晶系，纤锌矿型的晶体结构；纯氮化铝晶体是无色透明的，但由于晶体中存在的杂质离子和本征缺陷，AIN晶体通常呈黄色或琥珀色；AIN在III-V族半导体材料中具有很大的直接带隙宽度，约6.2eV，是重要的蓝光和紫外发光材料。
二、氮化铝（AlN）-材料优势
(1) 高的热导率；
(2) 热膨胀系数可与半导体硅片相匹配；
(3) 具有高的绝缘电阻和介电强度；
(4) 具有低的介电常数和介质损耗；
(5) 机械性能高，机械加工性能好；
(6) 具有非常低的二次电子发射系数；
(7) 陶瓷体无毒。
三、氮化铝（AlN）-陶瓷制备工艺
目前氮化铝粉料的制备方法主要有三种，它们是直接氮化法，碳热还原法和自蔓延高温合成法，目前这三种方法均已用于工业化生产。
氮化铝陶瓷是一非氧化物陶瓷，纯氮化铝在高温下很难致密烧结，其烧结通常是采用添加烧结助剂的方法进行。在氮化铝粉中加入烧结助剂，同时加入溶剂、分散剂，球磨混合均匀后，再加入粘结剂成型，即可得到氮化铝生坯，然后将其放于高温烧结炉中，于氮气中，1800℃左右烧结即可得到氮化铝陶瓷。
四、氮化铝（AlN）-应用
AIN 陶瓷比Al2O3陶瓷具有更高的热导率，在大功率电力电子等需要高热传导的器件中逐渐替代Al2O3陶瓷，应用前景广阔。AIN陶瓷还因其具有低的二次电子发射系数，被看作是功率真空电子器件输能窗口的首选材料。
20世纪80年代，部分发达国家就开始对AIN陶瓷基片进行研发。其中日本对于AIN陶瓷基片的研发处于世界的前列。东芝、日本电气、日立等日本公司在1985年就已经把AIN陶瓷基片投入生产。现如今，日本还有多家企业研发和生产AIN陶瓷基片，如京陶、日本特殊陶业、住友金属工业、富士通、东芝日本电气等。
制备AIN陶瓷的核心原料AIN粉体制备工艺复杂、能耗高、周期长、价格昂贵。国内的AIN粉体基本依赖进口，原料的批次稳定性、成本也成为国内高端AIN陶瓷基片材料制造的瓶颈。
五、小结
陶瓷基板技术虽然发展较早，但其仍在不断探索新的陶瓷材料、工艺和应用领域。
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