参数

氮化铝(AlN)因其优异的高热导率、绝缘性、耐高温性和低热膨胀系数,在多个高科技领域有重要应用。广泛应用于电子散热、高频通信和光电领域。在电子封装中,它作为LED、IGBT等功率器件的散热基板,替代传统氧化铝材料;在5G通信中用于射频滤波器和天线罩;同时也是深紫外LED和Micro-LED显示器的关键衬底材料。此外,AlN在熔融金属处理、航空航天耐高温部件以及导热复合材料中发挥重要作用,未来还将在SiC/GaN功率器件集成和量子技术中展现潜力。

氮化铝(AlN)的主流制备方法包括:直接氮化法(铝粉与氮气反应,工艺简单但纯度较低)、碳热还原法(Al₂O₃与碳在氮气中高温反应,适合工业化高纯粉末生产)、化学气相沉积(CVD)(用于高纯度薄膜制备,如LED衬底)、溶胶-凝胶法(制得纳米粉体,纯度高性能优但量产难)以及自蔓延高温合成(SHS)(快速节能但需后续致密化)。其中,碳热还原法和CVD法因平衡纯度与成本,在电子和半导体领域应用最广。